AMD meldet Durchbruch bei verspanntem Silizium

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doelf
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AMD meldet Durchbruch bei verspanntem Silizium

Beitrag von doelf » 23 Apr 2008, 20:42

Wie AMD bekannt gibt hat das Verbundprojekt TeSiN (Tetragonal verspanntes Silizium für die Nanoelektronik) die Erforschung von verspanntem Silizium erfolgreich abgeschlossen. Sinn und Zweck der mechanischen Verspannung ist das Weiten des Kristallgitters, wodurch die elektronischen Eigenschaften des Siliziums positiv beeinflusst werden: Die Schaltfrequenzen steigen während die Leistungsaufnahme sinkt.

AMD hatte das Projekt koordiniert und dabei mit dem Siliziumwaferhersteller Siltronic AG, dem Anlagenbauer Aixtron AG und dem Speicherchiphersteller Qimonda sowie dem Forschungszentrum Jülich, dem Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik (MPI) in Halle und dem IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) in Leuven, Belgien, zusammengearbeitet. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) förderte TeSiN mit 12,2 Millionen Euro, die Forschung dauerte vier Jahre.

Tetragonal verspanntes Silizium soll in Zukunft bei der Herstellung von Mikroprozessoren und Speicher-Chips zum Einsatz kommen und dabei insbesondere den Energieverbrauch von mobilen Geräten wie Notebooks und Mobiltelefonen senken. Wann mit den ersten Produkten auf Basis dieser Technik zu rechnen ist, wurde nicht mitgeteilt.

Ich zitiere die Pressemitteilung:
"BMBF-Verbundprojekt TeSiN zur Erforschung von verspanntem Silizium erfolgreich abgeschlossen
Wichtiger Meilenstein für die zukünftige Entwicklung von schnelleren und sparsameren elektronischen Bauelementen erreicht

Dresden, 17. April 2008. Kleiner, schneller, sparsamer - die Anforderungen an moderne elektronische Geräte sind enorm. Um die Innovationsgeschwindigkeit in der Halbleiterindustrie zu erhöhen, schließen sich Industriepartner und Forschungseinrichtungen immer häufiger in Verbundprojekten zusammen.

Koordiniert vom Chiphersteller AMD Dresden haben der Siliziumwaferhersteller Siltronic AG, der Anlagenbauer Aixtron AG und der Speicherchiphersteller Qimonda Dresden vier Jahre gemeinsam an dem Verbundprojekt TeSiN ('Tetragonal verspanntes Silizium für die Nanoelektronik') geforscht. Unterstützt wurden die Partner durch das Forschungszentrum Jülich, das Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik (MPI) in Halle und das IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) in Leuven, Belgien. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) förderte TeSiN mit 12,2 Millionen Euro und unterstützte das Konsortium in allen Projektphasen.

Ziel der Projektarbeit war die Erforschung neuer Transistoren sowie die Herstellung und Charakterisierung von Silicon-on-Insulator (SOI) Wafern mit verspannten dünnen Silizium-Schichten (SSOI), die als Ausgangsmaterial für zukunftsweisende Bauelemente dienen. Als Basis hierfür wurde das patentierte Herstellungsverfahren für mechanisch-verspannte Siliziumwafer des Forschungszentrums Jülich genutzt.

Durch mechanische Verspannung weitet sich das Kristallgitter des Siliziums und verändert dabei seine elektronischen Eigenschaften: Die Ladungsträger können sich erheblich schneller durch das Transistorgebiet bewegen, die mögliche Schaltfrequenz steigt und die Leistungsaufnahme sinkt. TeSiN hat so einen wichtigen Weg aufgezeigt, zukünftig schnellere Mikroprozessoren und Speicher mit geringerem Energieverbrauch und damit längeren Betriebszeiten herstellen zu können. Diese optimierten Bauelemente werden z.B. in mobilen Geräten wie Notebooks und Mobiltelefonen eingesetzt.

TeSiN ist zugleich Teil eines europäischen MEDEA+-Forschungsprojektes, das 2007 mit dem renommierten 'Jean-Pierre Noblanc Award" ausgezeichnet wurde."

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